等离子清洗机处理工艺，等离子体表面活化处理，提升硅硅直接键合质量

作为半导体制造领域的一种封装与制造技术，硅硅直接键合技术(Silicon direct bonding，SDB)发挥着越来越重要的作用。SDB键合可以使经过抛光的半导体晶圆，在不使用黏结剂的情况下结合在一起。

该技术可以广泛应用于微电子、微机械、光电子等诸多领域。因此，深入研究该技术对于推进晶圆键合在半导体产业中的应用具有重要意义。

目前硅晶圆键合技术主要有：阳极键合、中介层键合、直接键合。阳极键合需要将待键合的硅晶圆接电源正极，玻璃接负极，同时将玻璃硅片加热到一定温度，因此不能用于硅-硅直接键合。

而低温下硅-硅直接键合相容性好，极少产生应力，且电化学特性较好。硅-硅直接键合与其表面能密切相关。等离子体处理机运用低温氧等离子体，对其表面进行活化处理，可提高硅表面能，能够有效提高键合质量。

氧等离子体活化工艺参数对键合的影响，活化工艺参数包括氧等离子体活化时间、活化功率(即RIE功率)及氧气流量对键合结果的影响，以便在工艺应用中进行活化工艺参数的优化选择。

活化功率对氧等离子体的浓度及其能量起着决定性作用，对改变硅片表面的物流化学特性有着巨大的贡献，是工艺研究的重点。

氧气流量所对应的极差值虽然比活化功率小，但对氧等离子体浓度的影响同样起重要作用。根据氧等离子体活化硅片表面的工艺原理，氧等离子体在处理硅片表面时使其氧化，提高亲水性，产生大量羟基，这对键合有着至关重要的作用。